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銀及銅銀合金奈米顆粒在氮化鉭薄膜表面析出及溶解對薄膜機械及抗菌性質之影響 = Surface emergence and dissolution of Ag and Cu-Ag nanoparticles on TaN thin films and their effects on films' mechanical and anti-bacterial properties / 葉子豪

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摘要註

由先前文獻得知TaN-Cu 與 TaN-Ag奈米複合薄膜經過退火後有傑出的抗菌效率與機械特性,且薄膜的性質取決於顆粒的尺寸與顆粒密度,然而並沒有提及到TaN-Cu 與TaN-Ag薄膜分別對於大腸桿菌(革蘭氏陰性菌)或者是金黃色葡萄球菌(革蘭氏陽性菌)兩者之間的抗菌結果。此外,薄膜經過外在因素老化後,薄膜表面上的金屬顆粒將會消失殆盡,進而失去其抗菌與機械特性,並稱為老化。然而薄膜經由再次退火處理後,金屬顆粒將會再次析出於薄膜表面上,此過程稱為再生,並且恢復其良好的抗菌效果與耐磨耗性質。另一方面,由文獻提到Cu-Ag合金能夠在低溫退火處理後,並且分解成單獨的兩相。由此可知,Cu-Ag合金能有效提供降低退火的條件。 進而本實驗研究將會探討其三項計畫: 1.TaN-Ag與TaN-Cu奈米複合薄膜經過退火後,導致銀或銅析出薄膜表面後並加以探討溶解出相同銀或銅離子濃度對於大腸桿菌與金黃色葡萄球菌之抗菌效率。 2.TaN-Cu 奈米複合薄膜對於多次再生之抗菌性質與機械性質之研究。 3.另一方面,進而討論TaN薄膜內添加Cu-Ag使其達到降低退火溫度,並且探討其機械性質與抗菌特性,預期藉由混合Cu與Ag 離子可以同時對於革蘭氏陽性菌與革蘭氏陰性菌達到協同的抗菌能力。 本實驗利用反應式磁控共濺鍍沉積TaN-Cu , TaN-Ag與TaN-(Cu,Ag)奈米複合薄膜於矽基板與工具鋼上。TaN-Cu與TaN-Ag薄膜利用快速退火(Rapid Thermal Annealing, RTA)於退火溫度為400℃且分別持溫2、4、8、15分鐘,TaN-(Cu,Ag)薄膜則是退火溫度為200、250、300、350、400℃且分別持溫4分鐘,使金屬顆粒於TaN基地相和薄膜表面有成核與成長之現象發生。本研究利用導電性原子力顯微鏡 (Conductive Atomic Force Microscopy, C-AFM)與場發射掃描式電子顯微鏡(Field-Emissio

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