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以電化學方法提升銦錫氧化薄膜之表面特性 = Electrochemical Treatment for Improving ITO Film Surface / 陳志豪

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摘要註

本論文主要探討草酸、檸檬酸、酒石酸等有機酸溶液對銦錫氧化物(Indium tin oxide，以下簡稱為ITO)薄膜的電化學蝕刻效應，期望透過此研究，增加對ITO表面反應的了解，以達到表面處理最適化的目標。因此本論文研究了上述系列弱酸溶液對非晶系ITO之電化學效應，探討何種弱酸容易進行腐蝕反應。所應用的電化學檢測技術包含線性掃瞄伏安法與開環電位測試；之後再使用電化學拋光及腐蝕方法進行ITO薄膜表面處理，並採用AFM原子力顯微鏡來分析ITO薄膜的表面，SEM電子顯微鏡、EDS元素分析儀探討ITO表面銦、錫分布情形，以及四點探針量測ITO薄膜片電阻，以了解其電化學表面粗糙度的變化。實驗結果發現，ITO/PET施加正電位條件下，使用酒石酸處理過後的粗糙度高於檸檬酸及草酸，片電阻方面則是低於檸檬酸及草酸；在兩階段通電處理下，使用草酸所得之粗糙度及片電阻值為最高，因此表面ITO腐蝕情形也最嚴重。ITO/glass施加正電位的條件下，使用酒石酸時粗糙度高於檸檬酸及草酸，而片電阻值則是使用草酸最高。

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